![FDS2672 FDS2672](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1028/261%3BMKT-M08A%3BM%2CD%2CTF%3B8.jpg)
FDS2672 onsemi
![FAIRS24204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.17 грн |
10+ | 105.34 грн |
100+ | 83.82 грн |
500+ | 66.56 грн |
1000+ | 56.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS2672 onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FDS2672 за ціною від 56.38 грн до 136.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS2672 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 9990 шт: термін постачання 546-555 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDS2672 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDS2672 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDS2672 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDS2672 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.9A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.9A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 148mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDS2672 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDS2672 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.9A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.9A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 148mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |