FDPF9N50NZ ONSEMI

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF9N50NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1000+	59.97 грн

Мінімальне замовлення: 1000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDPF9N50NZ ONSEMI

Description: FDPF9N50 - 500V N-CHANNEL UNIFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDPF9N50NZ

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	FDPF9N50NZ	Виробник : ON Semiconductor / Fairchild	MOSFET N-CH UNIFET2 SINGLE GAGE 500V	на замовлення 966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)
	FDPF9N50NZ	Виробник : Fairchild Semiconductor	Description: FDPF9N50 - 500V N-CHANNEL UNIFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V	товар відсутній