Продукція > ONSEMI > FDPF5N50FT
FDPF5N50FT

FDPF5N50FT ONSEMI


ONSM-S-A0003584099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDPF5N50FT ONSEMI

Description: ONSEMI - FDPF5N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDPF5N50FT за ціною від 63.35 грн до 149.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDPF5N50FT FDPF5N50FT Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS46317-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 58950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
331+63.35 грн
Мінімальне замовлення: 331
FDPF5N50FT FDPF5N50FT Виробник : onsemi / Fairchild FDPF5N50FT_D-2312662.pdf MOSFET 500V N-Channel
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.6 грн
10+ 133.04 грн
25+ 109.42 грн
100+ 93.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF5N50FT FDPF5N50FT Виробник : ON Semiconductor fdpf5n50ft-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FDPF5N50FT FDPF5N50FT Виробник : onsemi fdpf5n50ft-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товар відсутній