FDMS86150ET100 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 237.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86150ET100 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDMS86150ET100 за ціною від 229.03 грн до 321.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86150ET100 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS86150ET100 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V |
на замовлення 13499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDMS86150ET100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
| FDMS86150ET100 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 617A; 187W; Power56 Mounting: SMD Case: Power56 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 187W Gate charge: 62nC Polarisation: unipolar Drain current: 90A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Pulsed drain current: 617A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| FDMS86150ET100 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 617A; 187W; Power56 Mounting: SMD Case: Power56 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 187W Gate charge: 62nC Polarisation: unipolar Drain current: 90A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.1mΩ Pulsed drain current: 617A |
товар відсутній |