Продукція > ONSEMI > FDMS86150A
FDMS86150A

FDMS86150A onsemi

FDMS86150A_Rev3_Jun2019.pdf Виробник: onsemi
Description: FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+131.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86150A onsemi

Description: FET 100V 4.85 MOHM PQFN56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86150A за ціною від 124.75 грн до 321.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86150A FDMS86150A Виробник : onsemi FDMS86150A_Rev3_Jun2019.pdf Description: FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+271.39 грн
10+ 219.16 грн
100+ 177.28 грн
500+ 147.88 грн
1000+ 126.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86150A FDMS86150A Виробник : onsemi FDMS86150A_D-3150131.pdf MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 4.85mohm N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 4.85mohm
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+321.16 грн
10+ 284.51 грн
100+ 202.8 грн
500+ 154.02 грн
1000+ 132.41 грн
3000+ 126.14 грн
6000+ 124.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86150A Виробник : ON Semiconductor 820970405939403fdms86150a.pdf N-Channel Shielded Gate power trench MOSFET
товар відсутній