Продукція > ONSEMI > FDMS86102LZ
FDMS86102LZ

FDMS86102LZ onsemi

fdms86102lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+63.19 грн
6000+ 58.57 грн
9000+ 56.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86102LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS86102LZ за ціною від 56.52 грн до 155.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+63.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : onsemi fdms86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 56320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.22 грн
10+ 112.09 грн
100+ 89.22 грн
500+ 70.85 грн
1000+ 60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+144.18 грн
10+ 121.41 грн
25+ 120.21 грн
100+ 91.66 грн
250+ 82.14 грн
500+ 67.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86102LZ_D-2312583.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 12975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.98 грн
10+ 121.82 грн
100+ 83.63 грн
250+ 82.24 грн
500+ 63.49 грн
1000+ 58.54 грн
3000+ 56.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+155.27 грн
93+ 130.75 грн
94+ 129.45 грн
119+ 98.71 грн
250+ 88.45 грн
500+ 72.98 грн
Мінімальне замовлення: 78
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86102LZ FDMS86102LZ Виробник : ON Semiconductor 3652475996223356fdms86102lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86102LZ Виробник : ONSEMI fdms86102lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86102LZ Виробник : ONSEMI fdms86102lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній