FDMS8570S Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
Description: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
на замовлення 6262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
544+ | 38.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8570S Fairchild Semiconductor
Description: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V.
Інші пропозиції FDMS8570S за ціною від 38.68 грн до 38.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMS8570S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8570S - FDMS8570S, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDMS8570S | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||
FDMS8570S | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 25V 24A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |