![FDMS8090 FDMS8090](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/83ee490a9a6d6db3892a2f1173869eaefd5645c4/power56-8.jpg)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 312.15 грн |
10+ | 287.24 грн |
25+ | 284.92 грн |
100+ | 246.47 грн |
250+ | 226.28 грн |
500+ | 202.67 грн |
1000+ | 202.54 грн |
3000+ | 202.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8090 ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56.
Інші пропозиції FDMS8090 за ціною від 207.64 грн до 458.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS8090 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS8090 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 |
на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS8090 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS8090 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS8090 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS8090 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDMS8090 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 Mounting: SMD Power dissipation: 59W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
FDMS8090 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDMS8090 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 59W; WDFN8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: WDFN8 Mounting: SMD Power dissipation: 59W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |