FDMS7680 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7680 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS7680 за ціною від 18.77 грн до 65.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS7680 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7680 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 39012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS7680 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V |
на замовлення 6279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS7680 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30/20V Nch PowerTrench |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS7680 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDMS7680 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| FDMS7680 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 80A; 33W; Power56 Mounting: SMD Drain current: 28A On-state resistance: 10.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: Power56 Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
FDMS7680 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| FDMS7680 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 80A; 33W; Power56 Mounting: SMD Drain current: 28A On-state resistance: 10.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: Power56 Drain-source voltage: 30V |
товар відсутній |