FDMS7660 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 57.32 грн |
| 6000+ | 53.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS7660 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS7660 за ціною від 51.86 грн до 184.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS7660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS7660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS7660 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V |
на замовлення 4168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS7660 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30/20V Nch Power Trench |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS7660 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS7660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS7660 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS7660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMS7660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS7660 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 78W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 78W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS7660 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; Idm: 150A; 78W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 78W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |