FDMS7620S

FDMS7620S onsemi


fdms7620s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+41.37 грн
6000+ 37.94 грн
9000+ 36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS7620S onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDMS7620S за ціною від 36.29 грн до 106.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS7620S FDMS7620S Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002363556-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS7620S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS7620S FDMS7620S Виробник : onsemi fdms7620s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.02 грн
10+ 78.79 грн
100+ 61.29 грн
500+ 48.75 грн
1000+ 39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS7620S FDMS7620S Виробник : onsemi / Fairchild FDMS7620S_D-2312764.pdf MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+106.25 грн
10+ 86.35 грн
100+ 58.68 грн
500+ 49.71 грн
1000+ 40.46 грн
3000+ 36.36 грн
6000+ 36.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS7620S Виробник : ON Semiconductor fdms7620s-d.pdf
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDMS7620S FDMS7620S Виробник : ON Semiconductor fdms7620s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
FDMS7620S Виробник : ONSEMI fdms7620s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 13/22A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 30/15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS7620S Виробник : ONSEMI fdms7620s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 13/22A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 13/22A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 30/15.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній