FDMS5361L-F085 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: FDMS5361 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 606+ | 34.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS5361L-F085 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDMS5361L-F085
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS5361L_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 |
на замовлення 28859000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
FDMS5361L_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
FDMS5361L-F085 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET NMOS PWR56 60V 15 MOHM |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FDMS5361L-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS5361L-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
FDMS5361L_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
FDMS5361L-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |