FDMS4D4N08C onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.93 грн |
| 10+ | 144.32 грн |
| 100+ | 114.87 грн |
| 500+ | 91.22 грн |
| 1000+ | 77.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS4D4N08C onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS4D4N08C за ціною від 74.57 грн до 194.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS4D4N08C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET |
на замовлення 6260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS4D4N08C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS4D4N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDMS4D4N08C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS4D4N08C | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 78A; Idm: 498A; 125W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 78A Pulsed drain current: 498A Power dissipation: 125W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS4D4N08C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 40 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS4D4N08C | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 78A; Idm: 498A; 125W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 78A Pulsed drain current: 498A Power dissipation: 125W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |