Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS3672
FDMS3672

FDMS3672 ON Semiconductor

fdms3672-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3672 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS3672 за ціною від 83.63 грн до 221.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS3672 FDMS3672 Виробник : onsemi fdms3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+93.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS3672 FDMS3672 Виробник : onsemi fdms3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 50 V
на замовлення 7588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.31 грн
10+ 165.88 грн
100+ 132.03 грн
500+ 104.84 грн
1000+ 88.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3672 FDMS3672 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS3672_D-2312428.pdf MOSFETs 100V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 16591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.97 грн
10+ 182.73 грн
100+ 126.14 грн
250+ 116.38 грн
500+ 105.93 грн
1000+ 90.6 грн
3000+ 83.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS3672 Виробник : Fairchild fdms3672-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDMS3672 FDMS3672 Виробник : ON Semiconductor fdms3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
товар відсутній
FDMS3672 FDMS3672 Виробник : ON Semiconductor fdms3672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
товар відсутній
FDMS3672 Виробник : ONSEMI fdms3672-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 30A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS3672 Виробник : ONSEMI fdms3672-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 30A; 78W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 78W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній