FDMS3606S

FDMS3606S onsemi / Fairchild


FDMS3606S_D-2312460.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.01 грн
10+ 84.75 грн
100+ 59.58 грн
500+ 52.56 грн
1000+ 44.49 грн
3000+ 41.92 грн
6000+ 39.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3606S onsemi / Fairchild

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: PowerTrench®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30/30V, Drain current: 30/40A, Pulsed drain current: 40...100A, Power dissipation: 2.2/2.5W, Case: Power56, Gate-source voltage: ±20/±20V, On-state resistance: 10.8/2.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29/83nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FDMS3606S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS3606S Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002363793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS3606S FDMS3606S Виробник : ON Semiconductor 3664555806287664fdms3606s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A/27A T/R
товар відсутній
FDMS3606S FDMS3606S Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002363793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
товар відсутній
FDMS3606S Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002363793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній