![FDMS2D5N08C FDMS2D5N08C](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4482/488%7E483AE%7E%7E8-Top.jpg)
FDMS2D5N08C onsemi
![fdms2d5n08c-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 200.53 грн |
10+ | 161.96 грн |
100+ | 131.06 грн |
500+ | 109.33 грн |
1000+ | 93.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS2D5N08C onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V, Power Dissipation (Max): 138W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA, Supplier Device Package: Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS2D5N08C за ціною від 90.6 грн до 217.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS2D5N08C | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS2D5N08C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDMS2D5N08C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 105A Pulsed drain current: 823A Power dissipation: 138W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
FDMS2D5N08C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA Supplier Device Package: Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDMS2D5N08C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 105A; Idm: 823A; 138W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 105A Pulsed drain current: 823A Power dissipation: 138W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |