Продукція > ONSEMI > FDMS039N08B
FDMS039N08B

FDMS039N08B onsemi

fdms039n08b-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+73.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS039N08B onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS039N08B за ціною від 66.6 грн до 162.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS039N08B FDMS039N08B Виробник : ONSEMI ROCELEC_FDMS039N08B-D.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: ONSEMI - FDMS039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
317+119.32 грн
Мінімальне замовлення: 317
FDMS039N08B FDMS039N08B Виробник : onsemi / Fairchild FDMS039N08B_D-2312392.pdf MOSFETs FPS
на замовлення 21003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+156.54 грн
10+ 131.12 грн
100+ 93.85 грн
250+ 93.16 грн
500+ 79.95 грн
1000+ 69.52 грн
3000+ 66.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS039N08B FDMS039N08B Виробник : onsemi fdms039n08b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.44 грн
10+ 129.85 грн
100+ 103.33 грн
500+ 82.06 грн
1000+ 69.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS039N08B FDMS039N08B Виробник : ON Semiconductor fdms039n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS039N08B Виробник : ONSEMI fdms039n08b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS039N08B Виробник : ONSEMI fdms039n08b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній