на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 95.02 грн |
| 96000+ | 86.82 грн |
| 192000+ | 80.78 грн |
| 288000+ | 73.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS003N08C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS003N08C за ціною від 232.77 грн до 502.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS003N08C | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA Supplier Device Package: Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS003N08C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 26474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS003N08C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA Supplier Device Package: Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS003N08C | Виробник : onsemi |
MOSFET FET 80V 147A 3.1 mOhm |
на замовлення 2906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS003N08C | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1665 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FDMS003N08C | Виробник : ON Semiconductor |
N Channel MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| FDMS003N08C | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 92A; Idm: 658A; 125W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 92A Pulsed drain current: 658A Power dissipation: 125W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
FDMS003N08C | Виробник : ON Semiconductor |
N Channel MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FDMS003N08C | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 92A; Idm: 658A; 125W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 92A Pulsed drain current: 658A Power dissipation: 125W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |