FDMQ86530L onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 214.41 грн |
| 10+ | 173.15 грн |
| 100+ | 140.1 грн |
| 500+ | 116.87 грн |
| 1000+ | 100.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMQ86530L onsemi
Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMQ86530L за ціною від 105.43 грн до 253.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMQ86530L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMQ86530L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMQ86530L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDMQ86530L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 12-Pin MLP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMQ86530L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 12-Pin MLP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMQ86530L | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12 Type of transistor: N-MOSFET x4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 22W Case: MLP12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMQ86530L | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12 Type of transistor: N-MOSFET x4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 22W Case: MLP12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge |
товар відсутній |