![FDME1034CZT FDME1034CZT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/695/488%3BMKT-UMLP06D%3BFDME%3B6.jpg)
FDME1034CZT onsemi
![fdme1034czt-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.11 грн |
10+ | 55.46 грн |
100+ | 43.1 грн |
500+ | 34.29 грн |
1000+ | 27.93 грн |
2000+ | 26.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDME1034CZT onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 600mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6).
Інші пропозиції FDME1034CZT за ціною від 26.2 грн до 75.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDME1034CZT | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 658-667 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDME1034CZT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDME1034CZT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDME1034CZT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
FDME1034CZT | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; -20/20V; -2.6/3.8A; 1.4W; uDFN6 Mounting: SMD Power dissipation: 1.4W Gate charge: 7.7/4.2nC Polarisation: unipolar Drain current: -2.6/3.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20/20V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: uDFN6 On-state resistance: 530/160mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
FDME1034CZT | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
FDME1034CZT | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; -20/20V; -2.6/3.8A; 1.4W; uDFN6 Mounting: SMD Power dissipation: 1.4W Gate charge: 7.7/4.2nC Polarisation: unipolar Drain current: -2.6/3.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20/20V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: uDFN6 On-state resistance: 530/160mΩ |
товар відсутній |