Технічний опис FDMD84100 onsemi
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 21A; Idm: 80A; 23W; PQFN8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 21A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 23W, Case: PQFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 38mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 16nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDMD84100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FDMD84100 | Виробник : ON Semiconductor |
 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDMD84100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7A 8-Pin Power 3.3 EP T/R |
товар відсутній |
|
| FDMD84100 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 21A; Idm: 80A; 23W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 23W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
FDMD84100 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN |
товар відсутній |
|
 |
FDMD84100 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET FET 100V 20.0 MOHM PQFN |
товар відсутній |
|
| FDMD84100 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 21A; Idm: 80A; 23W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 23W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |