на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.68 грн |
10+ | 171.61 грн |
100+ | 137.93 грн |
500+ | 106.35 грн |
1000+ | 88.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMD82100L onsemi
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 38W, Case: PQFN12, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 24nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDMD82100L за ціною від 131.43 грн до 211.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMD82100L | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET FET 100V 19.5 MOHM PQFN |
на замовлення 9489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDMD82100L | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38W Case: PQFN12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
FDMD82100L | Виробник : onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP |
товар відсутній |
||||||||||||
FDMD82100L | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38W Case: PQFN12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |