Продукція > ONSEMI > FDMC89521L
FDMC89521L

FDMC89521L onsemi

fdmc89521l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+62.49 грн
6000+ 57.92 грн
9000+ 56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC89521L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 16W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC89521L за ціною від 52.67 грн до 863.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+63.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+64.78 грн
6000+ 62.59 грн
9000+ 60.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+66.79 грн
6000+ 64.53 грн
9000+ 62.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ONSEMI 2724474.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+88.34 грн
500+ 77.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+88.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+119.49 грн
10+ 103.96 грн
25+ 103.11 грн
100+ 85.3 грн
250+ 74.27 грн
500+ 66.14 грн
1000+ 57.96 грн
3000+ 57.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+122.44 грн
10+ 105.55 грн
25+ 104.49 грн
50+ 99.42 грн
100+ 79.2 грн
250+ 71.3 грн
500+ 65.26 грн
1000+ 52.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
94+128.68 грн
108+ 111.96 грн
109+ 111.04 грн
127+ 91.86 грн
250+ 79.99 грн
500+ 71.22 грн
1000+ 62.42 грн
3000+ 61.94 грн
Мінімальне замовлення: 94
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : onsemi fdmc89521l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 41465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.71 грн
10+ 110.85 грн
100+ 88.23 грн
500+ 70.06 грн
1000+ 59.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : onsemi / Fairchild FDMC89521L_D-2312701.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 8001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.6 грн
10+ 121.82 грн
100+ 85.02 грн
250+ 78.75 грн
500+ 71.09 грн
1000+ 61.19 грн
3000+ 58.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ONSEMI fdmc89521l-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+163.39 грн
10+ 121.18 грн
100+ 88.34 грн
500+ 77.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC89521L_D-2312701.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDMC89521L Виробник : onsemi fdmc89521l-d.pdf Транз. Пол.2 N-Channel (Dual) MOSFET 8-Power33 (3x3) Udss=60V; Id=8,2 A; Pd=1,9 W; Rds=17 mOhm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+863.1 грн
10+ 641.16 грн
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC89521L Виробник : ONSEMI fdmc89521l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 40A; 16W; Power33
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 16W
Gate charge: 24nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power33
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC89521L Виробник : ONSEMI fdmc89521l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 40A; 16W; Power33
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 16W
Gate charge: 24nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power33
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
товар відсутній