FDMC8882 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 26.16 грн |
6000+ | 24 грн |
9000+ | 22.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8882 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMC8882 за ціною від 22.7 грн до 63.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMC8882 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8882 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8882 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET |
на замовлення 10907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8882 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V |
на замовлення 34937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC8882 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC8882 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC8882 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 18W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 18W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC8882 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 18W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 18W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |