Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC8878
FDMC8878

FDMC8878 ON Semiconductor

fdmc8878-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+77.9 грн
10+ 67.13 грн
100+ 54.81 грн
500+ 46.64 грн
1000+ 35.91 грн
3000+ 32.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8878 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMC8878 за ціною від 36.15 грн до 108.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC8878 FDMC8878 Виробник : onsemi FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.22 грн
10+ 71.72 грн
100+ 55.79 грн
500+ 44.38 грн
1000+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC8878 FDMC8878 Виробник : ON Semiconductor fdmc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+96.88 грн
10+ 79.67 грн
25+ 78.62 грн
50+ 45.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDMC8878 FDMC8878 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC8878_D-1807220.pdf MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 25534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.95 грн
10+ 96.98 грн
100+ 65.51 грн
500+ 54.29 грн
1000+ 43.35 грн
3000+ 39.93 грн
6000+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC8878 FDMC8878 Виробник : ON Semiconductor fdmc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMC8878 FDMC8878 Виробник : onsemi FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMC8878 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16.5A; 31W; WDFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16.5A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: WDFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC8878 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16.5A; 31W; WDFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16.5A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: WDFN8
товар відсутній