FDMC8854 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 447+ | 47.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8854 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDMC8854
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC8854 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET |
на замовлення 3504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FDMC8854 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8854 - MOSFET, N, SMD, MLP tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDMC8854 | Виробник : FAI |
07PB |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDMC8854 | Виробник : FAI |
09+ |
на замовлення 568 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDMC8854 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|
| FDMC8854 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||
 |
FDMC8854 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
|
|
FDMC8854 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V |
товар відсутній |