![FDMC86520DC FDMC86520DC](https://media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/8-PQFN,%20Power%2056.jpg)
FDMC86520DC onsemi
![fdmc86520dc-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 30 V
на замовлення 14945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 106.07 грн |
6000+ | 98.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86520DC onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86520DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC86520DC за ціною від 84.9 грн до 233.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMC86520DC | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 19894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC86520DC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 30 V |
на замовлення 14945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC86520DC | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 11945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC86520DC | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm |
на замовлення 19894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC86520DC | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FDMC86520DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FDMC86520DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDMC86520DC | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 80A; 73W; PQFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 73W Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: PQFN8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A On-state resistance: 10.2mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC86520DC | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 80A; 73W; PQFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 73W Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: PQFN8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A On-state resistance: 10.2mΩ |
товар відсутній |