Продукція > ONSEMI > FDMC86520DC
FDMC86520DC

FDMC86520DC onsemi


fdmc86520dc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 30 V
на замовлення 14945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+106.07 грн
6000+ 98.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86520DC onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86520DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC86520DC за ціною від 84.9 грн до 233.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC86520DC FDMC86520DC Виробник : ONSEMI 2729298.pdf Description: ONSEMI - FDMC86520DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 19894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+132.58 грн
500+ 99.94 грн
3000+ 86.9 грн
6000+ 85.57 грн
9000+ 84.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMC86520DC FDMC86520DC Виробник : onsemi fdmc86520dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 30 V
на замовлення 14945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.32 грн
10+ 182.78 грн
100+ 149.76 грн
500+ 119.64 грн
1000+ 100.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC86520DC FDMC86520DC Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86520DC_D-2312271.pdf MOSFET 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 11945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.69 грн
10+ 175.09 грн
100+ 123.75 грн
500+ 109.84 грн
1000+ 94.55 грн
3000+ 90.38 грн
6000+ 88.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC86520DC FDMC86520DC Виробник : ONSEMI 2729298.pdf Description: ONSEMI - FDMC86520DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
на замовлення 19894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+233.97 грн
10+ 173.92 грн
100+ 141.94 грн
500+ 100.66 грн
3000+ 88.91 грн
6000+ 86.9 грн
9000+ 86.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC86520DC FDMC86520DC Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC86520DC_D-2312271.pdf MOSFET 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDMC86520DC Виробник : ON Semiconductor fdmc86520dc-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDMC86520DC FDMC86520DC Виробник : ON Semiconductor 3675155970166161fdmc86520dc.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin Power 33 T/R
товар відсутній
FDMC86520DC Виробник : ONSEMI fdmc86520dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 80A; 73W; PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 73W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC86520DC Виробник : ONSEMI fdmc86520dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 80A; 73W; PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 73W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.2mΩ
товар відсутній