FDMC86340ET80 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 117.25 грн |
| 6000+ | 108.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86340ET80 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMC86340ET80 за ціною від 110.81 грн до 243.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86340ET80 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86340ET80 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86340ET80 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V |
на замовлення 16400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86340ET80 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET FET 80V 6.5 MOHM PQFN33 |
на замовлення 5026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMC86340ET80 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 48A; Idm: 316A; 65W; PowerQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 48A Pulsed drain current: 316A Power dissipation: 65W Case: PowerQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMC86340ET80 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 48A; Idm: 316A; 65W; PowerQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 48A Pulsed drain current: 316A Power dissipation: 65W Case: PowerQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |