Продукція > ONSEMI > FDMC8622
FDMC8622

FDMC8622 onsemi

fdmc8622-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+45.52 грн
6000+ 41.75 грн
9000+ 39.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8622 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC8622 за ціною від 40.28 грн до 129.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ONSEMI 2304884.pdf Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 31W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+73.96 грн
500+ 59.24 грн
1000+ 44.63 грн
3000+ 42.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC8622_D-2312576.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 22972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.19 грн
10+ 82.55 грн
100+ 61.75 грн
500+ 55.2 грн
1000+ 45.02 грн
3000+ 42.3 грн
6000+ 40.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : onsemi fdmc8622-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
на замовлення 32807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.07 грн
10+ 86.75 грн
100+ 67.43 грн
500+ 53.64 грн
1000+ 43.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ONSEMI fdmc8622-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+129.78 грн
10+ 97.72 грн
100+ 72.71 грн
500+ 46.82 грн
3000+ 42.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ON Semiconductor fdmc8622-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ON Semiconductor fdmc8622-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
товар відсутній
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ON Semiconductor fdmc8622-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
товар відсутній
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ON Semiconductor fdmc8622-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
товар відсутній
FDMC8622 Виробник : ONSEMI fdmc8622-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 30A; 31W; WDFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: WDFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC8622 Виробник : ONSEMI fdmc8622-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 30A; 31W; WDFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: WDFN8
товар відсутній