Продукція > ONSEMI > FDMC86160ET100
FDMC86160ET100

FDMC86160ET100 onsemi

fdmc86160et100-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+79.48 грн
6000+ 73.66 грн
9000+ 71.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86160ET100 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMC86160ET100 за ціною від 71.61 грн до 207.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017602735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+121.66 грн
500+ 105.01 грн
3000+ 90.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : onsemi fdmc86160et100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 12647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.98 грн
10+ 141 грн
100+ 112.21 грн
500+ 89.11 грн
1000+ 75.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86160ET100_D-2312451.pdf MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.42 грн
10+ 154.3 грн
100+ 108.45 грн
500+ 91.77 грн
1000+ 78.56 грн
3000+ 73 грн
6000+ 71.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017602735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+207.45 грн
10+ 150.52 грн
100+ 121.66 грн
500+ 105.01 грн
3000+ 90.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC86160ET100_D-2312451.pdf MOSFET FET 100V 14 MOHM PQFN33
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDMC86160ET100 FDMC86160ET100 Виробник : ON Semiconductor fdmc86160et100jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin Power QFN EP T/R
товар відсутній
FDMC86160ET100 Виробник : ONSEMI fdmc86160et100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; Idm: 204A; 65W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 204A
Power dissipation: 65W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC86160ET100 Виробник : ONSEMI fdmc86160et100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; Idm: 204A; 65W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 204A
Power dissipation: 65W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній