Продукція > ONSEMI > FDMC86102LZ
FDMC86102LZ

FDMC86102LZ onsemi

fdmc86102lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+55.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86102LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMC86102LZ за ціною від 50.21 грн до 142.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC86102LZ FDMC86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdmc86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+56.61 грн
6000+ 54.74 грн
9000+ 53.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC86102LZ FDMC86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdmc86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+58.37 грн
6000+ 56.44 грн
9000+ 54.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC86102LZ FDMC86102LZ Виробник : ONSEMI fdmc86102lz-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.019 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+76.9 грн
500+ 64.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMC86102LZ FDMC86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdmc86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+85.72 грн
10+ 77.24 грн
25+ 74.11 грн
100+ 65.43 грн
250+ 58.58 грн
500+ 51.67 грн
1000+ 50.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDMC86102LZ FDMC86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdmc86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
131+92.31 грн
145+ 83.18 грн
152+ 79.81 грн
165+ 70.46 грн
250+ 63.08 грн
500+ 55.65 грн
1000+ 54.08 грн
Мінімальне замовлення: 131
FDMC86102LZ FDMC86102LZ Виробник : onsemi fdmc86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.83 грн
10+ 97.69 грн
100+ 77.79 грн
500+ 61.77 грн
1000+ 52.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC86102LZ FDMC86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86102LZ_D-2312303.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.58 грн
10+ 107.13 грн
100+ 74.39 грн
250+ 68.55 грн
500+ 62.36 грн
1000+ 53.39 грн
3000+ 50.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC86102LZ FDMC86102LZ Виробник : ONSEMI fdmc86102lz-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.019 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+142.72 грн
10+ 107.62 грн
100+ 76.9 грн
500+ 64.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMC86102LZ FDMC86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdmc86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC86102LZ FDMC86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdmc86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній