![FDMC86102L FDMC86102L](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/1/9/8/48/25/672963/ons_/manual/nttfs5c460nltag.jpg)
FDMC86102L ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 43.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86102L ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC86102L за ціною від 39.1 грн до 115.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMC86102L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC86102L | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC86102L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC86102L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V |
на замовлення 5532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC86102L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC86102L | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC86102L | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 30826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMC86102L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDMC86102L | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41W; MLP8 Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: MLP8 On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 41W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC86102L | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41W; MLP8 Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: MLP8 On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 41W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® |
товар відсутній |