FDL100N50F ON Semiconductor
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 819.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDL100N50F ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDL100N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.043 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5kW, Bauform - Transistor: TO-264AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDL100N50F за ціною від 799.11 грн до 1379.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDL100N50F | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Tube |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET UniFET 500V |
на замовлення 1361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDL100N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.043 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5kW Bauform - Transistor: TO-264AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDL100N50F | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C; FDL100N50F TFDL100n50f кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264 Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A Case: TO264 Polarisation: unipolar On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 2.5kW Technology: UniFET™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 238nC Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDL100N50F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264 Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A Case: TO264 Polarisation: unipolar On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 2.5kW Technology: UniFET™ Kind of channel: enhanced Gate charge: 238nC Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT |
товар відсутній |