на замовлення 14197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 30.64 грн |
| 22+ | 27.53 грн |
| 25+ | 27.21 грн |
| 50+ | 25.43 грн |
| 100+ | 19.4 грн |
| 250+ | 18.41 грн |
| 500+ | 10.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG6306P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDG6306P за ціною від 10.72 грн до 42.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDG6306P | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDG6306P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDG6306P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
FDG6306P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
FDG6306P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
FDG6306P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 114pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
FDG6306P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V |
товар відсутній |