Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDG6304P
FDG6304P

FDG6304P ON Semiconductor

fdg6304p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6304P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDG6304P за ціною від 10.52 грн до 40.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDG6304P FDG6304P Виробник : ONSEMI 2299830.pdf Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6304P FDG6304P Виробник : ONSEMI 11847.pdf Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.92 грн
500+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDG6304P FDG6304P Виробник : ONSEMI FDG6304P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+25.72 грн
25+ 20.47 грн
62+ 13.53 грн
170+ 12.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDG6304P FDG6304P Виробник : ONSEMI FDG6304P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.87 грн
25+ 25.51 грн
62+ 16.24 грн
170+ 15.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6304P FDG6304P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+35.96 грн
26+ 30.33 грн
100+ 18.92 грн
500+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDG6304P FDG6304P Виробник : onsemi fdg6304p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.45 грн
10+ 31.72 грн
100+ 22.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG6304P FDG6304P Виробник : onsemi / Fairchild FDG6304P_D-2312263.pdf MOSFETs SC70-6 P-CH -25V
на замовлення 8135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.82 грн
10+ 34.54 грн
100+ 20.77 грн
500+ 16.45 грн
1000+ 13.38 грн
3000+ 11.36 грн
9000+ 10.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG6304P FDG6304P Виробник : onsemi fdg6304p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товар відсутній