FDG1024NZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.78 грн |
| 6000+ | 15.3 грн |
| 9000+ | 14.17 грн |
| 30000+ | 13.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG1024NZ onsemi
Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 360mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 360mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDG1024NZ за ціною від 14.57 грн до 55.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDG1024NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
на замовлення 78263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDG1024NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET Dual PT4 N 20/8V |
на замовлення 7881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDG1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDG1024NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm Verlustleistung, p-Kanal: 360mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDG1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDG1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
FDG1024NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W Mounting: SMD Drain current: 1.2A Drain-source voltage: 20V Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced On-state resistance: 389mΩ Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SC70-6; SC88; SOT363 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
FDG1024NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
FDG1024NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W Mounting: SMD Drain current: 1.2A Drain-source voltage: 20V Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced On-state resistance: 389mΩ Gate-source voltage: ±8V Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SC70-6; SC88; SOT363 |
товар відсутній |