FDD8896 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.96 грн |
| 5000+ | 25.64 грн |
| 12500+ | 24.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8896 onsemi
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDD8896 за ціною від 24.22 грн до 79.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD8896 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD8896 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 94A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD8896 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V |
на замовлення 34077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD8896 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 12519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD8896 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 94A Power dissipation: 80W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD8896 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD8896 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8896 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 851093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDD8896 | Виробник : VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; FDD8896 TFDD8896 VBS |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDD8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |