на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.42 грн |
| 5000+ | 21.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8880 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDD8880 за ціною від 20.22 грн до 73.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD8880 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD8880 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V |
на замовлення 3665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD8880 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 46377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDD8880 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 58A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDD8880 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 58A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |