Продукція > ONSEMI > FDD8876
FDD8876

FDD8876 onsemi

FDD%2CFDU8876.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.75 грн
5000+ 39.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8876 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDD8876 за ціною від 37.35 грн до 115.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD8876 FDD8876 Виробник : ON Semiconductor 3666976677173995fdd8876.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.15 грн
5000+ 42.55 грн
10000+ 40.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD8876 FDD8876 Виробник : ON Semiconductor 3666976677173995fdd8876.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.54 грн
5000+ 45.82 грн
10000+ 43.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD8876 FDD8876 Виробник : ON Semiconductor 3666976677173995fdd8876.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+54.46 грн
25+ 54.13 грн
100+ 46.5 грн
250+ 42.78 грн
500+ 39.65 грн
1000+ 38.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDD8876 FDD8876 Виробник : ON Semiconductor 3666976677173995fdd8876.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
207+58.64 грн
208+ 58.29 грн
233+ 51.93 грн
250+ 49.76 грн
500+ 44.48 грн
1000+ 41.16 грн
Мінімальне замовлення: 207
FDD8876 FDD8876 Виробник : onsemi / Fairchild FDD8876_D-2312073.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.12 грн
10+ 71.33 грн
100+ 51.36 грн
500+ 45.23 грн
1000+ 44.67 грн
2500+ 38.4 грн
5000+ 37.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD8876 FDD8876 Виробник : ONSEMI FDD%2CFDU8876.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+96.16 грн
6+ 67.51 грн
16+ 54.29 грн
44+ 51.33 грн
500+ 49.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD8876 FDD8876 Виробник : onsemi FDD%2CFDU8876.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 7787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.28 грн
10+ 81.45 грн
100+ 63.33 грн
500+ 50.38 грн
1000+ 41.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD8876 FDD8876 Виробник : ONSEMI FDD%2CFDU8876.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 73A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.39 грн
5+ 84.13 грн
16+ 65.15 грн
44+ 61.6 грн
500+ 59.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD8876 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8876.pdf 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8876 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8876.pdf D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8876 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8876.pdf TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8876 FDD8876 Виробник : ON Semiconductor 3666976677173995fdd8876.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній