Продукція > ONSEMI > FDD8870
FDD8870

FDD8870 onsemi

FDD8870.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8870 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDD8870 за ціною від 44.67 грн до 183.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD8870 FDD8870 Виробник : onsemi FDD8870.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 15 V
на замовлення 4607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.37 грн
10+ 95.46 грн
100+ 74.26 грн
500+ 59.07 грн
1000+ 48.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD8870 FDD8870 Виробник : onsemi / Fairchild FDD8870_D-2312436.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.96 грн
10+ 113.81 грн
500+ 84.33 грн
1000+ 53.8 грн
2500+ 51.64 грн
5000+ 44.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD8870 FDD8870 Виробник : ON Semiconductor fdd8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+145.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD8870 FDD8870 Виробник : ON Semiconductor fdd8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+156.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD8870 FDD8870 Виробник : ON Semiconductor fdd8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+172.04 грн
10+ 171.22 грн
25+ 170.38 грн
100+ 163.51 грн
250+ 150.65 грн
500+ 143.91 грн
1000+ 143.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD8870 FDD8870 Виробник : ON Semiconductor fdd8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+183.49 грн
100+ 182.6 грн
250+ 175.21 грн
500+ 161.44 грн
1000+ 154.21 грн
Мінімальне замовлення: 66
FDD8870 Виробник : FAIRCHILD FDD8870.pdf
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8870 Виробник : FAIRCHILD FDD8870.pdf 07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8870 Виробник : FAIRCHILD FDD8870.pdf D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8870 Виробник : FAIRCHILD FDD8870.pdf TO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8870 FDD8870
Код товару: 103193 		FDD8870.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDD8870 FDD8870 Виробник : ON Semiconductor fdd8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD8870 FDD8870 Виробник : ONSEMI FDD8870.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD8870 FDD8870 Виробник : ONSEMI FDD8870.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній