Продукція > ONSEMI > FDD86326
FDD86326

FDD86326 onsemi

fdd86326-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+65.97 грн
5000+ 61.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86326 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDD86326 за ціною від 60.56 грн до 156.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD86326 FDD86326 Виробник : onsemi fdd86326-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.25 грн
10+ 117.02 грн
100+ 93.15 грн
500+ 73.97 грн
1000+ 62.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86326 FDD86326 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86326_D-2312230.pdf MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 19357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+156.92 грн
10+ 128.23 грн
100+ 88.51 грн
250+ 85.02 грн
500+ 74.57 грн
1000+ 63.7 грн
2500+ 60.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86326 FDD86326 Виробник : ON Semiconductor fdd86326.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86326 FDD86326 Виробник : ON Semiconductor fdd86326.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній