Продукція > ONSEMI > FDD5614P
FDD5614P

FDD5614P ONSEMI

2298242.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 4201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.42 грн
500+ 27.44 грн
2500+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD5614P ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDD5614P за ціною від 22.11 грн до 59.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD5614P FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+35.57 грн
10000+ 34.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
FDD5614P FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
303+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 303
FDD5614P FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+56.54 грн
5000+ 51.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDD5614P FDD5614P Виробник : ONSEMI 2298242.pdf Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 4201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.73 грн
17+ 46.2 грн
100+ 35.42 грн
500+ 27.44 грн
2500+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDD5614P FDD5614P
Код товару: 29177 		Виробник : Fairchild FD%2FFDD5614P.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 60 V
Id,A: 15 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 759/15
Монтаж: SMD
товар відсутній
FDD5614P FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD5614P FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD5614P Виробник : ON Semiconductor fdd5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD5614P FDD5614P Виробник : onsemi fdd5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товар відсутній
FDD5614P FDD5614P Виробник : onsemi fdd5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товар відсутній
FDD5614P FDD5614P Виробник : onsemi / Fairchild FDD5614P_D-2312065.pdf MOSFET 60V P-Ch PowerTrench
товар відсутній