FDD5612 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 11331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 84.43 грн |
| 11+ | 71.3 грн |
| 100+ | 51.44 грн |
| 500+ | 39.42 грн |
| 1000+ | 31.63 грн |
| 5000+ | 31.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD5612 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 18, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 42, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036, Betriebstemperatur, max.: 175, Schwellenspannung Vgs: 2.4, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDD5612
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD5612 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench |
на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FDD5612 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3 |
товар відсутній |
|
|
|
FDD5612 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3 |
товар відсутній |
|
 |
FDD5612 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
товар відсутній |