Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC638P
FDC638P

FDC638P ON Semiconductor

fdc638p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC638P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC638P за ціною від 10.69 грн до 49.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi fdc638p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor 3662308380181400fdc638p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 24
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor 3662308380181400fdc638p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.39 грн
500+ 17.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+32.26 грн
22+ 28.47 грн
100+ 21.67 грн
500+ 17.07 грн
1000+ 13.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI FDC638P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+37.53 грн
13+ 29.33 грн
52+ 16.7 грн
141+ 15.75 грн
500+ 15.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
320+37.85 грн
459+ 26.33 грн
464+ 26.06 грн
598+ 19.51 грн
1000+ 14.58 грн
3000+ 12.75 грн
6000+ 11.51 грн
Мінімальне замовлення: 320
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi fdc638p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
на замовлення 4722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.71 грн
10+ 32.89 грн
100+ 22.88 грн
500+ 16.77 грн
1000+ 13.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+42.08 грн
17+ 35.5 грн
25+ 35.15 грн
100+ 23.57 грн
250+ 21.61 грн
500+ 16.11 грн
1000+ 13 грн
3000+ 11.84 грн
6000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI FDC638P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.03 грн
10+ 36.55 грн
52+ 20.04 грн
141+ 18.9 грн
500+ 18.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC638P FDC638P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.039 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+48.24 грн
21+ 38.31 грн
100+ 24.39 грн
500+ 17.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDC638P FDC638P Виробник : onsemi / Fairchild FDC638P_D-2311905.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 100873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.19 грн
10+ 42.96 грн
100+ 25.44 грн
500+ 21.26 грн
1000+ 18.05 грн
3000+ 16.38 грн
6000+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC638P FDC638P Виробник : ON Semiconductor fdc638p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній