FDC638APZ

FDC638APZ ON Semiconductor


fdc638apz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC638APZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC638APZ за ціною від 11.03 грн до 49.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
866+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 866
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.15 грн
6000+ 13.52 грн
9000+ 12.69 грн
24000+ 12.12 грн
30000+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : onsemi fdc638apz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.18 грн
6000+ 12.96 грн
9000+ 12.03 грн
30000+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.8 грн
500+ 18.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : onsemi fdc638apz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 46078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.22 грн
10+ 34.63 грн
100+ 24.07 грн
500+ 17.64 грн
1000+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+43.27 грн
17+ 36.61 грн
25+ 34.03 грн
100+ 25.2 грн
250+ 22.16 грн
500+ 17.55 грн
1000+ 13.77 грн
3000+ 11.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : onsemi / Fairchild FDC638APZ_D-2312160.pdf MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
на замовлення 10983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.64 грн
10+ 37.59 грн
100+ 22.86 грн
500+ 18.05 грн
1000+ 14.36 грн
3000+ 12.13 грн
9000+ 11.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+49.33 грн
20+ 40.81 грн
100+ 25.8 грн
500+ 18.87 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ON Semiconductor fdc638apz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI FDC638APZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC638APZ FDC638APZ Виробник : ONSEMI FDC638APZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній