Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6327C
FDC6327C

FDC6327C ON Semiconductor

fdc6327c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6327C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6327C за ціною від 10.4 грн до 42.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.01 грн
9000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6327C FDC6327C Виробник : onsemi fdc6327c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.8 грн
6000+ 11.7 грн
9000+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 26
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6327C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+29.55 грн
23+ 26.26 грн
100+ 20.3 грн
500+ 16.12 грн
1000+ 12.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
386+31.34 грн
514+ 23.51 грн
519+ 23.29 грн
645+ 18.08 грн
1000+ 13.5 грн
3000+ 11.2 грн
Мінімальне замовлення: 386
FDC6327C FDC6327C Виробник : ON Semiconductor fdc6327c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/1.9A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.51 грн
20+ 30.76 грн
25+ 29.11 грн
100+ 21.05 грн
250+ 19.31 грн
500+ 14.93 грн
1000+ 12.03 грн
3000+ 10.4 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+35.18 грн
59+ 14.52 грн
162+ 13.72 грн
1000+ 13.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDC6327C FDC6327C Виробник : onsemi fdc6327c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 22631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.69 грн
10+ 31.29 грн
100+ 21.72 грн
500+ 15.92 грн
1000+ 12.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC6327C FDC6327C Виробник : onsemi / Fairchild FDC6327C_D-2311902.pdf MOSFET SSOT-6 COMP N-P CH
на замовлення 46967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.08 грн
10+ 34.46 грн
100+ 22.37 грн
500+ 17.56 грн
1000+ 13.52 грн
3000+ 12.41 грн
9000+ 10.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDC6327C FDC6327C Виробник : ONSEMI fdc6327c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.7/-1.9A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.13/0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.22 грн
59+ 18.09 грн
162+ 16.46 грн
1000+ 15.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC6327C FDC6327C
Код товару: 28579 		fdc6327c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній