FDC6312P onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.46 грн |
| 6000+ | 14.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC6312P onsemi
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC6312P за ціною від 12.41 грн до 54.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC6312P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6312P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6312P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6312P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL |
на замовлення 681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC6312P | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.3A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6312P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 8181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6312P | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.3A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6312P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC6312P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |