Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC6305N
FDC6305N

FDC6305N ON Semiconductor

fdc6305n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6305N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC6305N за ціною від 11.46 грн до 50.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.26 грн
9000+ 13.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.51 грн
9000+ 13.01 грн
24000+ 12.88 грн
45000+ 12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6305N FDC6305N Виробник : onsemi fdc6305n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 36746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.86 грн
6000+ 13.58 грн
9000+ 12.61 грн
30000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.33 грн
9000+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.63 грн
9000+ 14.01 грн
24000+ 13.87 грн
45000+ 13.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI fdc6305n-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.5 грн
500+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+32.84 грн
21+ 29.23 грн
100+ 22.52 грн
500+ 17.91 грн
1000+ 13.96 грн
3000+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.09 грн
20+ 30.24 грн
100+ 23.14 грн
500+ 18.33 грн
1000+ 14.25 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI FDC6305N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+39.87 грн
48+ 17.77 грн
132+ 16.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
302+40.14 грн
431+ 28.08 грн
435+ 27.81 грн
557+ 20.95 грн
1000+ 15.69 грн
3000+ 13.53 грн
Мінімальне замовлення: 302
FDC6305N FDC6305N Виробник : ON Semiconductor fdc6305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.33 грн
16+ 37.65 грн
25+ 37.27 грн
100+ 25.14 грн
250+ 23.06 грн
500+ 17.29 грн
1000+ 13.98 грн
3000+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDC6305N FDC6305N Виробник : onsemi fdc6305n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 37467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.48 грн
10+ 36.3 грн
100+ 25.22 грн
500+ 18.48 грн
1000+ 15.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC6305N FDC6305N Виробник : onsemi / Fairchild FDC6305N_D-2311998.pdf MOSFET SSOT-6 N-CH 20V
на замовлення 58992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+46.1 грн
10+ 38.79 грн
100+ 23.63 грн
500+ 18.54 грн
1000+ 15.12 грн
3000+ 12.96 грн
9000+ 11.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI FDC6305N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.7A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+47.85 грн
48+ 22.15 грн
132+ 20.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDC6305N FDC6305N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.74 грн
19+ 41.9 грн
100+ 26.5 грн
500+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 16