FDC6301N

FDC6301N ON Semiconductor


fdc6301n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC6301N ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDC6301N за ціною від 6.55 грн до 35.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6301N FDC6301N Виробник : onsemi fdc6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.55 грн
6000+ 7.89 грн
9000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC6301N FDC6301N Виробник : ONSEMI FDC6301N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+29.71 грн
18+ 21.27 грн
89+ 9.58 грн
245+ 9.05 грн
1000+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDC6301N FDC6301N Виробник : onsemi fdc6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 14250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.66 грн
13+ 23.67 грн
100+ 14.2 грн
500+ 12.34 грн
1000+ 8.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDC6301N FDC6301N Виробник : onsemi / Fairchild FDC6301N_D-2312159.pdf MOSFET SSOT-6 N-CH 25V
на замовлення 29757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.07 грн
13+ 26.29 грн
100+ 12.75 грн
1000+ 8.71 грн
3000+ 6.69 грн
9000+ 6.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDC6301N FDC6301N Виробник : ONSEMI FDC6301N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.65 грн
11+ 26.51 грн
89+ 11.49 грн
245+ 10.86 грн
1000+ 10.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC6301N FDC6301N Виробник : ON Semiconductor fdc6301n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній