Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC5614P
FDC5614P

FDC5614P ON Semiconductor

fdc5614p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5614P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC5614P за ціною від 12.2 грн до 54.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.32 грн
9000+ 13.35 грн
45000+ 13.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.63 грн
9000+ 13.64 грн
45000+ 13.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.11 грн
6000+ 13.81 грн
9000+ 12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.71 грн
9000+ 14.64 грн
45000+ 14.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+25.33 грн
36000+ 23.15 грн
72000+ 21.54 грн
108000+ 19.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.07 грн
500+ 20.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI FDC5614P-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+30.49 грн
25+ 24.39 грн
50+ 17.06 грн
138+ 16.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI FDC5614P-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.59 грн
25+ 30.4 грн
50+ 20.47 грн
138+ 19.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 14943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.23 грн
10+ 36.88 грн
100+ 25.66 грн
500+ 18.79 грн
1000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi / Fairchild FDC5614P_D-2312158.pdf MOSFET SSOT-6 P-CH
на замовлення 166463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.38 грн
10+ 40.47 грн
100+ 24.53 грн
500+ 19.1 грн
1000+ 15.54 грн
3000+ 13.17 грн
9000+ 12.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI fdc5614p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+54.33 грн
18+ 44.56 грн
100+ 28.07 грн
500+ 20.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній